Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48886| Title: | ОСОБЕННОСТИ ДИФФУЗИИ В Si1–xGex СПЛАВАХ: КВАНТОВОХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ |
| Authors: | Гусаков, В. Е. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 108-112. |
| Abstract: | В настоящей работе представлены результаты по исследованию методами квантовой химии диффузии кислорода в кристаллах Si1–xGex. Кислород является одной из основных технологических примесей в Si/Si1–xGex и широко используется для создания диэлектрических слоев и процессов геттерирования. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48886 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Appears in Collections: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| В.Е. Гусаков.pdf | 233,24 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.