Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48879| Заглавие документа: | СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ ПОЛИ-Ge ПОСЛЕ ИМПЛАНТАЦИИ И ПОСЛЕДУЮЩЕГО ОТЖИГА |
| Авторы: | Зайков, В. А. Гайдук, П. И. Новиков, А. Г. Прокопьев, С. Л. Наливайко, О. Ю. Пшеничный, Е. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 96-99. |
| Аннотация: | В настоящей работе представлены результаты исследования структурных свойств слоев поли-Ge, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ). Исследованы электрофизические свойства Ge/Si структур после легирования ионами бора и фосфора и последующего отжига. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48879 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| В.А. Зайков, П.И. Гайдук, А.Г. Новиков, С.Л. Прокопьев, О.Ю. Наливайко, Е.Н. Пшеничный.pdf | 415,67 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.