Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48879| Title: | СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ ПОЛИ-Ge ПОСЛЕ ИМПЛАНТАЦИИ И ПОСЛЕДУЮЩЕГО ОТЖИГА |
| Authors: | Зайков, В. А. Гайдук, П. И. Новиков, А. Г. Прокопьев, С. Л. Наливайко, О. Ю. Пшеничный, Е. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 96-99. |
| Abstract: | В настоящей работе представлены результаты исследования структурных свойств слоев поли-Ge, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ). Исследованы электрофизические свойства Ge/Si структур после легирования ионами бора и фосфора и последующего отжига. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48879 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Appears in Collections: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| В.А. Зайков, П.И. Гайдук, А.Г. Новиков, С.Л. Прокопьев, О.Ю. Наливайко, Е.Н. Пшеничный.pdf | 415,67 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.