Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48879Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Зайков, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | - |
| dc.contributor.author | Новиков, А. Г. | - |
| dc.contributor.author | Прокопьев, С. Л. | - |
| dc.contributor.author | Наливайко, О. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Пшеничный, Е. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-10-11T13:05:58Z | - |
| dc.date.available | 2013-10-11T13:05:58Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 96-99. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-476-885-4 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48879 | - |
| dc.description.abstract | В настоящей работе представлены результаты исследования структурных свойств слоев поли-Ge, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ). Исследованы электрофизические свойства Ge/Si структур после легирования ионами бора и фосфора и последующего отжига. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ ПОЛИ-Ge ПОСЛЕ ИМПЛАНТАЦИИ И ПОСЛЕДУЮЩЕГО ОТЖИГА | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| В.А. Зайков, П.И. Гайдук, А.Г. Новиков, С.Л. Прокопьев, О.Ю. Наливайко, Е.Н. Пшеничный.pdf | 415,67 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.