Showing results 1 to 20 of 70
next >
| Preview | Issue Date | Title | Author(s) |
| 2020 | Адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии, облученных гамма-квантами | Вабищевич, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н. |
| 2008 | Взаимодействие атомов золота с преципитатами кислорода в монокристаллическом кремнии | Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, О. Н.; Янковский, Ю. Н. |
| 2022 | Влияние γ-облучения на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодов | Оджаев, В. Б.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Тарасик, М. И.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2021 | Влияние ионной имплантации азота на величину токов сток-исток силовых МОП-транзисторов | Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н. |
| 2017 | Влияние ионной имплантации на адгезию пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремнию | Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Степнов, А. К.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И. |
| 2021 | Влияние неконтролируемых технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора | Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| Nov-2023 | Влияние облучения быстрыми электронами на параметры диодов генераторов шума | Буслюк, В. В.; Дереченник, С. С.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Ластовский, С. Б.; Нерода, И. Ю.; Федосюк, Д. Н.; Черный, В. В.; Янковский, Ю. Н. |
| 10-May-2023 | Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов | Ковальчук, Н. С.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2012 | ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРА | Карпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2020 | Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора | Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2001 | Дефектообразование в кремнии при высокоэнергетичной ионной имплантации | Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н. |
| 2003 | Дефектообразование при совместной имплантации кремния лантаноидами и легирующими примесями | Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н. |
| 2018 | Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесей | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2019 | Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2019 | Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2021 | Ионная имплантация диазохинонноволачных резистов | Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н. |
| 2016 | Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистора | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А. |
| 2018 | Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n–p–n-транзистора | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2010 | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУ | Просолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Васильев, Ю. Б.; Петлицкий, А. Н.; Плебанович, В. И.; Простомолотов, А. И.; Верезуб, Н. А.; Меженный, М. В.; Резник, В. Я. |
| 2014 | Исследование прочностных свойств монокристаллов и пластин полупроводников, обусловленных напряженно-деформированным и дефектно-примесным состоянием кристаллической решетки : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. С. Просолович | Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, Д. И.; Петров, В. В. |
