Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292839
Заглавие документа: | Влияние γ-облучения на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодов |
Другое заглавие: | Specific features of generation-recombination processes in the depletion region of p–i–n-photodiodes / V. B. Odzhaev, N. I. Gorbachuk, S. B. Lastovskiy, A. N. Pyatlitski, V. S. Prosolovich, N. S. Kovalchuk, M. I. Tarasik, D. V. Shestovsky, V. Yu. Yavid, Yu. N. Yankovsky |
Авторы: | Оджаев, В. Б. Горбачук, Н. И. Ластовский, С. Б. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Ковальчук, Н. С. Тарасик, М. И. Шестовский, Д. В. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2022 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 274-279. |
Аннотация: | Исследовано воздействие γ-излучения 60Со на электрофизические характеристики p–i–n-фотодиодов на основе кремния с вертикальной структурой и охранным кольцом. Приборы изготавливались на кремнии p -типа проводимости ориентации (100) с ρ = 1000 Ом·см, выращенном методом бестигельной зонной плавки. Установлено, что в результате облучения p–i–n -фотодиодов дозой 10 15 квант/см2 обратный ток возрос более, чем на порядок. Форма кривой вольт-амперной характеристики качественно не изменилась ‒ имеют место три области с различной зависимость тока от напряжения, которая во всех случаях удовлетворительно описывается IR ~ (VR)n. Возрастание обратного тока в области I обусловлено образованием в процессе облучения рекомбинационных центров радиационного происхождения. В области II, связанной с остаточными технологическими дефектами, значение n изменяется от 2 до 4,4. Вероятно, в процессе облучения остаточные дефекты «оделись в шубу» из радиационных дефектов. Область III, связанная с остаточными дефектами, также претерпела существенные изменения, величина n возрастает от 0,8 до 2,2. Измерением вольт-фарадных характеристик установлено, что область обеднения при напряжениях смещения менее 1 В увеличилась, а при напряжениях свыше 1 В – уменьшилась. Это обусловлено изменением контактной разности потенциалов при облучении вследствие компенсации радиационными дефектами i-области |
Аннотация (на другом языке): | The effect of 60Co γ-irradiation on the electrophysical characteristics of p–i–n-photodiodes based on silicon with a vertical structure and a guard ring was investigated. The devices were made on silicon of p-type conductivity of orientation (100) with ρ = 1000 Ohm·cm, grown by the method of non-dielectric zone melting. It was found that as a result of irradiation of p–i–n-photodiodes with a dose of 10 15 quanta/cm2 the reverse current increased by more than an order of magnitude. The shape of the CVC curve did not change qualitatively - there are three regions with different dependence of current on voltage, which in all cases is satisfactorily described by IR ~(VR)n. The increase of the reverse current in region I is due to the formation of recombination centers of radiation origin in the process of irradiation. In region II, associated with residual technological defects, the value of n varies from 2 to 4,4. Probably, in the process of irradiation the residual defects "put on a coat" of radiation defects. Region III associated with residual defects has also undergone significant changes and the value of n increases from 0,8 to 2,2. By measuring the volt-farad characteristics, it was found that the depletion area at bias voltages less than 1 V increased and decreased at voltages over 1 V. This is due to a change in the contact potential difference during irradiation due to compensation by radiation defects in the i-region |
Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292839 |
ISBN: | 978-985-881-440-3 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
274-279.pdf | 533,52 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.