Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/38042| Заглавие документа: | ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРА |
| Авторы: | Карпович, И. А. Оджаев, В. Б. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Турцевич, А. С. Шведов, В. С. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.47-51 |
| Серия/Номер: | Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество; |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/38042 |
| ISBN: | 978-985-553-079-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2012. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| И.А. Карпович, В.Б. Оджаев, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович, А.С. Турцевич, С.В. Шведов, В.Ю. Явид, Ю.Н. Янковский.pdf | 269,31 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.