Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/38042Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Карпович, И. А. | - |
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Шведов, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Явид, В. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-03-20T11:49:57Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-20T11:49:57Z | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.47-51 | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-079-5 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/38042 | - |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
| dc.relation.ispartofseries | Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество; | - |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРА | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2012. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| И.А. Карпович, В.Б. Оджаев, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович, А.С. Турцевич, С.В. Шведов, В.Ю. Явид, Ю.Н. Янковский.pdf | 269,31 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.