ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРА

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/38042

Title:	ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРА
Authors:	Карпович, И. А. Оджаев, В. Б. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Турцевич, А. С. Шведов, В. С. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2012
Publisher:	Издательский центр БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.47-51
Series/Report no.:	Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество;
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/38042
ISBN:	978-985-553-079-5
Appears in Collections:	2012. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
И.А. Карпович, В.Б. Оджаев, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович, А.С. Турцевич, С.В. Шведов, В.Ю. Явид, Ю.Н. Янковский.pdf		269,31 kB	Adobe PDF	View/Open