Logo BSU

Просмотр "2012. Материалы и структуры современной электроники" По дате выпуска

Выберите:
Результаты 1 - 20 из 66  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2012МИКРОТВЕРДОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2012ОСОБЕННОСТИ ЧАСТОТНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕНЕРАЦИОННО-РЕКОМБИНАЦИОННОГО ШУМА В ФОТОДЕТЕКТОРАХ С МНОГОЗАРЯДНЫМИ ПРИМЕСЯМИГусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В.
2012МЕТОДОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ИЗМЕРЕНИЯ УДЕЛЬНОГО КОНТАКТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ TLM МЕТОДОМ С РАДИАЛЬНОЙ ГЕОМЕТРИЕЙ КОНТАКТОВНовицкий, С. В.
2012ВЫЗВАННОЕ МАГНИТНЫМ ВОЗДЕЙСТВИЕМ ОБОГАЩЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫМИ ПРИМЕСЯМИСтебленко, Л. П.; Плющай, И. В.; Калиниченко, Д. В.; Курилюк, А. Н.; Крит, А. Н.; Трачевский, В. В.
2012ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ФОТОРЕЗИСТ-КРЕМНИЙ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ СЕРЕБРА И СУРЬМЫВолобуев, В. С.; Олешкевич, А. Н.; Лукашевич, М. Г.
2012ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ С СОСРЕДОТОЧЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ ДЛЯ СПЕКТРОСКОПИИ ЭПРАдашкевич, Сергей Владимирович; Демидчик, В. В.; Маркевич, Мария Ивановна; Стельмах, Вячеслав Фомич; Федорук, Г. Г.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРАКарпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2012ВЛИЯНИЕ ПЛОТНОСТИ МОЩНОСТИ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗАЩИТНЫХ УГЛЕРОДНЫХ ПОКРЫТИЙ, ОСАЖДЕННЫХ ЛАЗЕРНО-ПЛАЗМЕННЫМ МЕТОДОМГончаров, В. К.; Гусаков, Г. А.; Пузырев, М. В.; Баран, Л. В.; Самцов, М. П.
2012ЛАЗЕРНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПОКРЫТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С СУБМИКРОННЫМ РАЗРЕШЕНИЕМЕрмалицкая, К. Ф.; Воропай, Е. С.
2012ПРОВОДИМОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ СИНТЕТИЧЕСКИХ АЛМАЗОВ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХРусецкий, М. С.; Казючиц, Н. М.; Наумчик, Е. В.
2012МЕЖУЗЕЛЬНАЯ ДИФФУЗИЯ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОГО БОРА В КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИВеличко, О. И.; Ковалева, А. П.
2012AB INITIO ИССЛЕДОВАНИЕ ДИМЕРА КИСЛОРОДА В КРЕМНИИ: СТРУКТУРА, КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ СПЕКТР, ДИФФУЗИЯГусаков, В. Е.
2012ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Белоус, А. И.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ И ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ НА МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛАСТИН КРЕМНИЯМеженный, М. В.; Резник, В. Я.; Просолович, В. C.; Простомолотов, А. И.
2012ВЛИЯНИЕ АТМОСФЕРНЫХ ГАЗОВ НА ИЗМЕНЕНИЯ МИКРОТВЕРДОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ИНДУЦИРУЕМЫЕ БЕТА-ОБЛУЧЕНИЕМДмитриевский, А. А.; Ефремова, Н. Ю.; Кувшинова, А. А.; Ловцов, А. Р.; Гусева, Д. Г.
2012ОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Боженков, В. В.
2012ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Ластовский, С. Б.
2012НОВЫЕ МЕТОДЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОНАМИ КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРМарченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2012ТЕРМИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ ДЕФЕКТОВ МЕЖДОУЗЕЛЬНОГО ТИПА В КРЕМНИИ И КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СПЛАВАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОММакаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Абросимов, Н. В.