Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/38125
Title: МОДИФИКАЦИЯ ВЫСОТЫ БАРЬЕРОВ Mo-n-Si ДИОДОВ ШОТТКИ ПОСРЕДСТВОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ВОДОРОДА
Authors: Покотило, Ю. М.
Петух, А. Н.
Гиро, А. В.
Дышлевич, Ю. А.
Дзичковский, О. А.
Камышан, А. С.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2012
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.164-166
Series/Report no.: Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество;
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/38125
ISBN: 978-985-553-079-5
Appears in Collections:2012. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Ю.М. Покотило.pdf322,43 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.