Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/38125
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПокотило, Ю. М.-
dc.contributor.authorПетух, А. Н.-
dc.contributor.authorГиро, А. В.-
dc.contributor.authorДышлевич, Ю. А.-
dc.contributor.authorДзичковский, О. А.-
dc.contributor.authorКамышан, А. С.-
dc.date.accessioned2013-03-20T16:38:24Z-
dc.date.available2013-03-20T16:38:24Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.164-166ru
dc.identifier.isbn978-985-553-079-5-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/38125-
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.relation.ispartofseriesВузовская наука, промышленность, международное сотрудничество;-
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleМОДИФИКАЦИЯ ВЫСОТЫ БАРЬЕРОВ Mo-n-Si ДИОДОВ ШОТТКИ ПОСРЕДСТВОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ВОДОРОДАru
dc.typeArticleru
Appears in Collections:2012. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Ю.М. Покотило.pdf322,43 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.