Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/38125| Заглавие документа: | МОДИФИКАЦИЯ ВЫСОТЫ БАРЬЕРОВ Mo-n-Si ДИОДОВ ШОТТКИ ПОСРЕДСТВОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ВОДОРОДА |
| Авторы: | Покотило, Ю. М. Петух, А. Н. Гиро, А. В. Дышлевич, Ю. А. Дзичковский, О. А. Камышан, А. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.164-166 |
| Серия/Номер: | Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество; |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/38125 |
| ISBN: | 978-985-553-079-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2012. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Ю.М. Покотило.pdf | 322,43 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.