Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/38042
Title: ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРА
Authors: Карпович, И. А.
Оджаев, В. Б.
Петлицкий, А. Н.
Просолович, В. С.
Турцевич, А. С.
Шведов, В. С.
Явид, В. Ю.
Янковский, Ю. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2012
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.47-51
Series/Report no.: Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество;
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/38042
ISBN: 978-985-553-079-5
Appears in Collections:2012. Материалы и структуры современной электроники



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.