Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/163841| Заглавие документа: | Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистора |
| Авторы: | Оджаев, В. Б. Панфиленко, А. К. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Шведов, С. В. Филипеня, В. А. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н. Лановский, Р. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 108–110. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/163841 |
| ISBN: | 978-985-553-403-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.108-110_Оджаев.pdf | 383,68 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.