Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/163841
Title: Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистора
Authors: Оджаев, В. Б.
Панфиленко, А. К.
Петлицкий, А. Н.
Просолович, В. С.
Шведов, С. В.
Филипеня, В. А.
Явид, В. Ю.
Янковский, Ю. Н.
Лановский, Р. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2016
Publisher: Минск : Изд. центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 108–110.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/163841
ISBN: 978-985-553-403-8
Appears in Collections:2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
С.108-110_Оджаев.pdf383,68 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.