| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2016 | Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A. |
| 2016 | О корректности одной задачи диагностики электрофизических параметров прямозонных полупроводников методами катодолюминесцентной микроскопии | Туртин, Д. В.; Степович, М. А.; Поляков, А. Н. |
| 2016 | Формирование изоляции мезаструктур интегральных схем на арсениде галлия | Телеш, Е. В. |
| 2016 | Влияние примеси азота на закономерности формирования и термическую стабильность радиационных дефектов в монокристаллах синтетического алмаза | Гусаков, Г. А.; Мудрый, А. В.; Рогинец, Л. П. |
| 2016 | Di-Interstitial-Oxygen Center in Silicon: Structure, Electronic Properties and Annealing Behavior | Markevich, V. P.; Gusakov, V. E.; Lastovskii, S. B.; Murin, L. I. |
| 2016 | Новые аспекты ионной имплантации | Хайбуллин, Р. И. |
| 2016 | Локальные колебательные моды комплексов дивакансия – два атома кислорода и тривакансия – два атома кислорода в кремнии | Толкачева, Е. А.; Мурин, Л. И. |
| 2016 | Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощения | Мурин, Л. И.; Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П. |
| 2016 | Формирование межкомпонентной изоляции канавками, заполненными диэлектриком | Наливайко, О. Ю.; Роговой, В. И.; Турцевич, А. С.; Кисель, А. М. |
| 2016 | Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из GaN | Мищенко, В. Н. |
| 2016 | Свойства поверхности тыльных и лицевых контактов фотоэлектрических преобразователей, осаждаемых пассивно и при ионном ассистировании | Ташлыкова-Бушкевич, И. И.; Яковенко, Ю. С.; Бушкевич, И. А.; Бобрович, О. Г.; Ташлыков, И. С. |
| 2016 | Электромагнитные отражатели на основе частотно-селективной поверхности для субметровых длин волн | Сягло, А. И.; Туан, Динь Ань; Кишкель, Н. В.; Широкий, Д. Н.; Поклонский, Н. А. |
| 2016 | Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистора | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А. |
| 2016 | Изменения электрофизических свойств и структуры кристаллов «солнечного» кремния, обусловленные действием магнитных полей | Стебленко, Л. П.; Подолян, А. А.; Надточий, А. Б.; Мельник, А. К.; Курилюк, А. Н.; Кобзарь, Ю. Л.; Юргелевич, И. В.; Науменко, С. Н.; Калиниченко, Д. В.; Крит, А. Н. |
| 2016 | Электрофизические свойства поликристаллических слоев Ge+Sn после обработки в водородной плазме | Прокопьев, С. Л.; Сульжич, И. А.; Новиков, А. Г.; Гайдук, П. И. |
| 2016 | Моделированиe технологии формирования НЭМС-конструкций | Юхневич, А. В.; Майер, И. А.; Усенко, А. Е. |
| 2016 | Аномалии кинетики фотоотклика кристалла сегнетоэлектрика – полупроводника TlGaSe2 | Одринский, А. П.; Seyidov, M. H. Yu; Suleymanov, R. A.; Мамедов, Т. Г.; Алиева, В. Б. |
| 2016 | Радиационная стойкость наноразмерных структур: исследование методом молекулярной динамики | Белько, В. И.; Гусаков, В. Е.; Дорожкин, Н. Н. |
| 2016 | Формирование тонких слоев SiC на кремниевых пластинах с кремний-германиевым буфферным слоем | Новиков, А. Г.; Батулев, А. А.; Гайдук, П. И. |
| 2016 | Формирование слоев полицида титана для интегральных микросхем с субмикронными проектными нормами | Наливайко, О. Ю.; Колос, В. В.; Турцевич, А. С. |
