Электронная библиотека БГУ: Browsing DSpace

Issue Date Author Title Subject

Browsing "2016. Материалы и структуры современной электроники" by Issue Date

Jump to a point in the index:
Or type in a year:

Showing results 1 to 20 of 111 next >

Issue Date	Title	Author(s)
2016	Свойства поверхности тыльных и лицевых контактов фотоэлектрических преобразователей, осаждаемых пассивно и при ионном ассистировании	Ташлыкова-Бушкевич, И. И.; Яковенко, Ю. С.; Бушкевич, И. А.; Бобрович, О. Г.; Ташлыков, И. С.
2016	Электромагнитные отражатели на основе частотно-селективной поверхности для субметровых длин волн	Сягло, А. И.; Туан, Динь Ань; Кишкель, Н. В.; Широкий, Д. Н.; Поклонский, Н. А.
2016	Локальные колебательные моды комплексов дивакансия – два атома кислорода и тривакансия – два атома кислорода в кремнии	Толкачева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2016	Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.
2016	Влияние примеси азота на закономерности формирования и термическую стабильность радиационных дефектов в монокристаллах синтетического алмаза	Гусаков, Г. А.; Мудрый, А. В.; Рогинец, Л. П.
2016	Di-Interstitial-Oxygen Center in Silicon: Structure, Electronic Properties and Annealing Behavior	Markevich, V. P.; Gusakov, V. E.; Lastovskii, S. B.; Murin, L. I.
2016	Новые аспекты ионной имплантации	Хайбуллин, Р. И.
2016	Аномалии кинетики фотоотклика кристалла сегнетоэлектрика – полупроводника TlGaSe2	Одринский, А. П.; Seyidov, M. H. Yu; Suleymanov, R. A.; Мамедов, Т. Г.; Алиева, В. Б.
2016	Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощения	Мурин, Л. И.; Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.
2016	Формирование слоев полицида титана для интегральных микросхем с субмикронными проектными нормами	Наливайко, О. Ю.; Колос, В. В.; Турцевич, А. С.
2016	Формирование межкомпонентной изоляции канавками, заполненными диэлектриком	Наливайко, О. Ю.; Роговой, В. И.; Турцевич, А. С.; Кисель, А. М.
2016	Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из GaN	Мищенко, В. Н.
2016	Оптическая спектроскопия тонких пленок Cu2ZnSnSe4	Мудрый, А. В.; Бородавченко, О. М.; Живулько, В. Д.
2016	Способ определения наличия закрытых пор в углях методом ЭПР	Олешкевич, А. Н.; Лапчук, Н. М.; Лапчук, М. Ю.; Goliminsee, Shilagardi; Sambuu, Munkhtsetseg
2016	Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистора	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2016	Изменения электрофизических свойств и структуры кристаллов «солнечного» кремния, обусловленные действием магнитных полей	Стебленко, Л. П.; Подолян, А. А.; Надточий, А. Б.; Мельник, А. К.; Курилюк, А. Н.; Кобзарь, Ю. Л.; Юргелевич, И. В.; Науменко, С. Н.; Калиниченко, Д. В.; Крит, А. Н.
2016	Электрофизические свойства поликристаллических слоев Ge+Sn после обработки в водородной плазме	Прокопьев, С. Л.; Сульжич, И. А.; Новиков, А. Г.; Гайдук, П. И.
2016	Моделированиe технологии формирования НЭМС-конструкций	Юхневич, А. В.; Майер, И. А.; Усенко, А. Е.
2016	Радиационная стойкость наноразмерных структур: исследование методом молекулярной динамики	Белько, В. И.; Гусаков, В. Е.; Дорожкин, Н. Н.
2016	Радиационное воздействие на параметры счетного триггера	Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Чеховский, В. А.; Огородников, Д. А.; Темирбулатов, М. С.; Эннс, В. И.

Showing results 1 to 20 of 111 next >