Logo BSU

Browsing "2016. Материалы и структуры современной электроники" by Issue Date

Jump to a point in the index:
Showing results 1 to 20 of 111  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2016Свойства поверхности тыльных и лицевых контактов фотоэлектрических преобразователей, осаждаемых пассивно и при ионном ассистированииТашлыкова-Бушкевич, И. И.; Яковенко, Ю. С.; Бушкевич, И. А.; Бобрович, О. Г.; Ташлыков, И. С.
2016Электромагнитные отражатели на основе частотно-селективной поверхности для субметровых длин волнСягло, А. И.; Туан, Динь Ань; Кишкель, Н. В.; Широкий, Д. Н.; Поклонский, Н. А.
2016Локальные колебательные моды комплексов дивакансия – два атома кислорода и тривакансия – два атома кислорода в кремнииТолкачева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2016Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.
2016Влияние примеси азота на закономерности формирования и термическую стабильность радиационных дефектов в монокристаллах синтетического алмазаГусаков, Г. А.; Мудрый, А. В.; Рогинец, Л. П.
2016Di-Interstitial-Oxygen Center in Silicon: Structure, Electronic Properties and Annealing BehaviorMarkevich, V. P.; Gusakov, V. E.; Lastovskii, S. B.; Murin, L. I.
2016Новые аспекты ионной имплантацииХайбуллин, Р. И.
2016Аномалии кинетики фотоотклика кристалла сегнетоэлектрика – полупроводника TlGaSe2Одринский, А. П.; Seyidov, M. H. Yu; Suleymanov, R. A.; Мамедов, Т. Г.; Алиева, В. Б.
2016Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощенияМурин, Л. И.; Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.
2016Формирование слоев полицида титана для интегральных микросхем с субмикронными проектными нормамиНаливайко, О. Ю.; Колос, В. В.; Турцевич, А. С.
2016Формирование межкомпонентной изоляции канавками, заполненными диэлектрикомНаливайко, О. Ю.; Роговой, В. И.; Турцевич, А. С.; Кисель, А. М.
2016Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из GaNМищенко, В. Н.
2016Оптическая спектроскопия тонких пленок Cu2ZnSnSe4Мудрый, А. В.; Бородавченко, О. М.; Живулько, В. Д.
2016Способ определения наличия закрытых пор в углях методом ЭПРОлешкевич, А. Н.; Лапчук, Н. М.; Лапчук, М. Ю.; Goliminsee, Shilagardi; Sambuu, Munkhtsetseg
2016Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2016Изменения электрофизических свойств и структуры кристаллов «солнечного» кремния, обусловленные действием магнитных полейСтебленко, Л. П.; Подолян, А. А.; Надточий, А. Б.; Мельник, А. К.; Курилюк, А. Н.; Кобзарь, Ю. Л.; Юргелевич, И. В.; Науменко, С. Н.; Калиниченко, Д. В.; Крит, А. Н.
2016Электрофизические свойства поликристаллических слоев Ge+Sn после обработки в водородной плазмеПрокопьев, С. Л.; Сульжич, И. А.; Новиков, А. Г.; Гайдук, П. И.
2016Моделированиe технологии формирования НЭМС-конструкцийЮхневич, А. В.; Майер, И. А.; Усенко, А. Е.
2016Радиационная стойкость наноразмерных структур: исследование методом молекулярной динамикиБелько, В. И.; Гусаков, В. Е.; Дорожкин, Н. Н.
2016Радиационное воздействие на параметры счетного триггераБогатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Чеховский, В. А.; Огородников, Д. А.; Темирбулатов, М. С.; Эннс, В. И.