Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/163843| Заглавие документа: | Электрофизические свойства поликристаллических слоев Ge+Sn после обработки в водородной плазме |
| Авторы: | Прокопьев, С. Л. Сульжич, И. А. Новиков, А. Г. Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 113–115. |
| Аннотация: | Холловскими методами измерений исследовались структуры p+Ge/Ge99Sn01/n+Si на подложках Si/SiO2 после обработки в водородной плазме. Проведены измерения подвижности и концентрации носителей заряда в указанных структурах в зависимости от режимов термообработки, а также на различной глубине структур при послойном стравливании. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/163843 |
| ISBN: | 978-985-553-403-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. Работа выполнена при частичной поддержке БРФФИ (договор Т16Р-167) и ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника» (задание 3.2.03.1). |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.113-115_Прокопьев.pdf | 406,41 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.