Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/163843Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Прокопьев, С. Л. | - |
| dc.contributor.author | Сульжич, И. А. | - |
| dc.contributor.author | Новиков, А. Г. | - |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-12-27T15:21:43Z | - |
| dc.date.available | 2016-12-27T15:21:43Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 113–115. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-403-8 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/163843 | - |
| dc.description.abstract | Холловскими методами измерений исследовались структуры p+Ge/Ge99Sn01/n+Si на подложках Si/SiO2 после обработки в водородной плазме. Проведены измерения подвижности и концентрации носителей заряда в указанных структурах в зависимости от режимов термообработки, а также на различной глубине структур при послойном стравливании. | ru |
| dc.description.sponsorship | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. Работа выполнена при частичной поддержке БРФФИ (договор Т16Р-167) и ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника» (задание 3.2.03.1). | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Изд. центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Электрофизические свойства поликристаллических слоев Ge+Sn после обработки в водородной плазме | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.113-115_Прокопьев.pdf | 406,41 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.