Электрофизические свойства поликристаллических слоев Ge+Sn после обработки в водородной плазме

Прокопьев, С. Л.; Сульжич, И. А.; Новиков, А. Г.; Гайдук, П. И.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/163843

Title:	Электрофизические свойства поликристаллических слоев Ge+Sn после обработки в водородной плазме
Authors:	Прокопьев, С. Л. Сульжич, И. А. Новиков, А. Г. Гайдук, П. И.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2016
Publisher:	Минск : Изд. центр БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 113–115.
Abstract:	Холловскими методами измерений исследовались структуры p+Ge/Ge99Sn01/n+Si на подложках Si/SiO2 после обработки в водородной плазме. Проведены измерения подвижности и концентрации носителей заряда в указанных структурах в зависимости от режимов термообработки, а также на различной глубине структур при послойном стравливании.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/163843
ISBN:	978-985-553-403-8
Sponsorship:	Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. Работа выполнена при частичной поддержке БРФФИ (договор Т16Р-167) и ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника» (задание 3.2.03.1).
Appears in Collections:	2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
С.113-115_Прокопьев.pdf		406,41 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar