Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/164196
Title: Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ
Authors: Поклонский, Н. А.
Горбачук, Н. И.
Шпаковский, С. В.
Во Куанг, Нья
Меркулов, В. А.
Кирикович, М. К.
Скуратов, В. А.
Kukharchyk, N.
Becker, H.-W.
Wieck, A.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2016
Publisher: Минск : Изд. центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 175–178.
Abstract: Исследованы зависимости тангенса угла электрических потерь гетероструктур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергией 5 МэВ, от частоты переменного тока и постоянного напряжения смещения. Показано, что в суммарные электрические потери облученных структур Al/SiO2/n-Si вносят вклад не только сквозные токи проводимости, но и потери, связанные с перезарядкой поверхностных состояний и радиационных дефектов, локализованных в области пространственного заряда n-Si.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/164196
ISBN: 978-985-553-403-8
Sponsorship: Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований.
Appears in Collections:2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
С.175-178_Поклонский_Горбачук.pdf502,33 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.