Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/164196| Заглавие документа: | Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ |
| Авторы: | Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Шпаковский, С. В. Во Куанг, Нья Меркулов, В. А. Кирикович, М. К. Скуратов, В. А. Kukharchyk, N. Becker, H.-W. Wieck, A. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 175–178. |
| Аннотация: | Исследованы зависимости тангенса угла электрических потерь гетероструктур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергией 5 МэВ, от частоты переменного тока и постоянного напряжения смещения. Показано, что в суммарные электрические потери облученных структур Al/SiO2/n-Si вносят вклад не только сквозные токи проводимости, но и потери, связанные с перезарядкой поверхностных состояний и радиационных дефектов, локализованных в области пространственного заряда n-Si. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/164196 |
| ISBN: | 978-985-553-403-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.175-178_Поклонский_Горбачук.pdf | 502,33 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.