Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ

Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/164196

Title:	Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ
Authors:	Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Шпаковский, С. В. Во Куанг, Нья Меркулов, В. А. Кирикович, М. К. Скуратов, В. А. Kukharchyk, N. Becker, H.-W. Wieck, A.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2016
Publisher:	Минск : Изд. центр БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 175–178.
Abstract:	Исследованы зависимости тангенса угла электрических потерь гетероструктур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергией 5 МэВ, от частоты переменного тока и постоянного напряжения смещения. Показано, что в суммарные электрические потери облученных структур Al/SiO2/n-Si вносят вклад не только сквозные токи проводимости, но и потери, связанные с перезарядкой поверхностных состояний и радиационных дефектов, локализованных в области пространственного заряда n-Si.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/164196
ISBN:	978-985-553-403-8
Sponsorship:	Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований.
Appears in Collections:	2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
С.175-178_Поклонский_Горбачук.pdf		502,33 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar