Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/164196Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | - |
| dc.contributor.author | Шпаковский, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Во Куанг, Нья | - |
| dc.contributor.author | Меркулов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Кирикович, М. К. | - |
| dc.contributor.author | Скуратов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Kukharchyk, N. | - |
| dc.contributor.author | Becker, H.-W. | - |
| dc.contributor.author | Wieck, A. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-12-29T16:17:15Z | - |
| dc.date.available | 2016-12-29T16:17:15Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 175–178. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-403-8 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/164196 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы зависимости тангенса угла электрических потерь гетероструктур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергией 5 МэВ, от частоты переменного тока и постоянного напряжения смещения. Показано, что в суммарные электрические потери облученных структур Al/SiO2/n-Si вносят вклад не только сквозные токи проводимости, но и потери, связанные с перезарядкой поверхностных состояний и радиационных дефектов, локализованных в области пространственного заряда n-Si. | ru |
| dc.description.sponsorship | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Изд. центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.175-178_Поклонский_Горбачук.pdf | 502,33 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.