Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/164183
Title: Di-Interstitial-Oxygen Center in Silicon: Structure, Electronic Properties and Annealing Behavior
Authors: Markevich, V. P.
Gusakov, V. E.
Lastovskii, S. B.
Murin, L. I.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2016
Publisher: Минск : Изд. центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 144–147.
Abstract: The experimental and theoretical data on the structure, electronic and dynamic properties of the I2O complex are presented.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/164183
ISBN: 978-985-553-403-8
Sponsorship: Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research.
Appears in Collections:2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
С.144-147_Markevich.pdf585,79 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.