Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/164183Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Markevich, V. P. | - |
| dc.contributor.author | Gusakov, V. E. | - |
| dc.contributor.author | Lastovskii, S. B. | - |
| dc.contributor.author | Murin, L. I. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-12-29T14:24:23Z | - |
| dc.date.available | 2016-12-29T14:24:23Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 144–147. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-403-8 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/164183 | - |
| dc.description.abstract | The experimental and theoretical data on the structure, electronic and dynamic properties of the I2O complex are presented. | ru |
| dc.description.sponsorship | Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research. | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | Минск : Изд. центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Di-Interstitial-Oxygen Center in Silicon: Structure, Electronic Properties and Annealing Behavior | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.144-147_Markevich.pdf | 585,79 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.