Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/163841Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.contributor.author | Панфиленко, А. К. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Шведов, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Филипеня, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Явид, В. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | - |
| dc.contributor.author | Лановский, Р. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-12-27T15:10:03Z | - |
| dc.date.available | 2016-12-27T15:10:03Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 108–110. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-403-8 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/163841 | - |
| dc.description.sponsorship | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Изд. центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистора | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| С.108-110_Оджаев.pdf | 383,68 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.