Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/182283
Заглавие документа: | Влияние ионной имплантации на адгезию пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремнию |
Другое заглавие: | Influence of ion implantation on adhesion of positive diazokhinonnovolachny photoresist films to monocrystal silicon / V.S. Prosolovich, Yu.N. Yankovski, S.A. Vabishchevich, A.K. Stepnov, N.V. Vabishchevich, D.I. Brinkevich |
Авторы: | Просолович, В. С. Янковский, Ю. Н. Вабищевич, С. А. Степнов, А. К. Вабищевич, Н. В. Бринкевич, Д. И. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2017 |
Издатель: | Минск: Изд. центр БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: материалы 12-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 19—22 сент. 2017 г. / редкол.: В.В. Углов (отв.ред.) [и др.]. — Минск: Изд. центр БГУ, 2017. — С. 409-411. |
Аннотация: | Методом индентирования исследована адгезия тонких (1.0 – 5.0 мкм) пленок диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120 на монокристаллическом кремнии и влияние на нее имплантации ионов бора и фосфора. Показано, что удельная энергия отслаивания G снижается при увеличении толщины пленки во всем диапазоне нагрузок. В процессе имплантации ионов бора и фосфора вблизи границы раздела фоторезист-кремний происходит модификация фоторезиста, приводящая к увеличению удельной энергия отслаивания полимерной пленки G. Процессы радиационной модификации при ионной имплантации фоторезиста протекают далеко за областью проецированного пробега ионов и обусловлены процессами конформационной перестройки фоторезиста = Adhesion of thin (1.0-5.0 microns) films of diazokhinonnovolachny FP9120 photoresist to monocrystal silicon and influence of implantation of B+ and P+ ions on it was investigated by the indentation method. It was shown that specific spalling energy G decreases at increase in thickness of a film in all range of loadings. At implantation of B+ and P+ ions the photoresist modification occurs near a photoresist-silicon interface. It lead to increase specific spalling energy G of a polymeric film. Processes of radiation modification at ion implantation of photoresist proceed far behind the projected run of ions and are caused by processes of conformation reorganization of photoresist |
Доп. сведения: | Секция 5. Влияние излучений на структуру и свойства покрытий |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/182283 |
ISBN: | 978-985-553-446-5 |
Располагается в коллекциях: | 2017. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
409-411.pdf | 231,42 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.