Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/182283
Title: Влияние ионной имплантации на адгезию пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремнию
Other Titles: Influence of ion implantation on adhesion of positive diazokhinonnovolachny photoresist films to monocrystal silicon / V.S. Prosolovich, Yu.N. Yankovski, S.A. Vabishchevich, A.K. Stepnov, N.V. Vabishchevich, D.I. Brinkevich
Authors: Просолович, В. С.
Янковский, Ю. Н.
Вабищевич, С. А.
Степнов, А. К.
Вабищевич, Н. В.
Бринкевич, Д. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2017
Publisher: Минск: Изд. центр БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: материалы 12-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 19—22 сент. 2017 г. / редкол.: В.В. Углов (отв.ред.) [и др.]. — Минск: Изд. центр БГУ, 2017. — С. 409-411.
Abstract: Методом индентирования исследована адгезия тонких (1.0 – 5.0 мкм) пленок диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120 на монокристаллическом кремнии и влияние на нее имплантации ионов бора и фосфора. Показано, что удельная энергия отслаивания G снижается при увеличении толщины пленки во всем диапазоне нагрузок. В процессе имплантации ионов бора и фосфора вблизи границы раздела фоторезист-кремний происходит модификация фоторезиста, приводящая к увеличению удельной энергия отслаивания полимерной пленки G. Процессы радиационной модификации при ионной имплантации фоторезиста протекают далеко за областью проецированного пробега ионов и обусловлены процессами конформационной перестройки фоторезиста = Adhesion of thin (1.0-5.0 microns) films of diazokhinonnovolachny FP9120 photoresist to monocrystal silicon and influence of implantation of B+ and P+ ions on it was investigated by the indentation method. It was shown that specific spalling energy G decreases at increase in thickness of a film in all range of loadings. At implantation of B+ and P+ ions the photoresist modification occurs near a photoresist-silicon interface. It lead to increase specific spalling energy G of a polymeric film. Processes of radiation modification at ion implantation of photoresist proceed far behind the projected run of ions and are caused by processes of conformation reorganization of photoresist
Description: Секция 5. Влияние излучений на структуру и свойства покрытий
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/182283
ISBN: 978-985-553-446-5
Appears in Collections:2017. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
409-411.pdf231,42 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.