Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271139| Заглавие документа: | Ионная имплантация диазохинонноволачных резистов |
| Другое заглавие: | Ion implantation of diazoquinonnovolac photoresists / D.I. Brinkevich, V.S. Prosolovich, Yu.N. Yankovski |
| Авторы: | Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Янковский, Ю. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 409-413. |
| Аннотация: | В работе методами индентирования и измерения спектров нарушенного полного внутреннего отражения исследовано влияние ионной имплантации на физико-механические и оптические свойства пленок диазохинонноволачных фоторезистов марок ФП9120, SPR700 и S1813, нанесенных на пластины монокристаллического кремния методом центрифугирования. Установлено, что радиационно-индуцированные процессы за слоем внедрения ионов существенным образом зависят от условий имплантации – массы и энергии иона, плотности ионного тока, марки имплантатора и т.д. Действует несколько конкурирующих между собой механизмов радиационно-индуцированных процессов в пленке фоторезиста за областью пробега ионов. При анализе экспериментальных данных следует учитывать наличие в пленке упругих напряжений, возникающих вследствие испарения растворителя при сушке; различные механизмы передачи энергии из области пробега ионов; разогрев пленки, а также накопление электрического заряда в полимерном фоторезисте при ионной имплантации |
| Аннотация (на другом языке): | In this work, the influence of ion implantation on the physicomechanical and optical properties of films of FP9120, SPR700, and S1813 diazochinovolac photoresists, deposited on monocrystalline silicon wafers by centrifugation, was investigated using the methods of indentation and measurement of the spectra of disturbed total internal reflection. It was found that in the process of ion implantation of photoresist films, an intense transformation of the ATR spectrum occurs, which is expressed in the redistribution of the intensity of the bands of in-plane bending vibrations of O - H bonds and pulsating vibrations of the carbon skeleton of aromatic rings. Radiation-induced processes behind the layer of ion implantation essentially depend on the conditions of implantation – ion mass and energy, ion current density, implantator brand, etc. There are several competing mechanisms of radiation-induced processes in the FR film behind the ion path. When analyzing experimental data, one should take into account the presence in the film of elastic stresses arising from the evaporation of the solvent during drying; various mechanisms of energy transfer from the ion range; heating of the film, as well as the accumulation of electric charge in the polymer photoresist during ion implantation |
| Доп. сведения: | Секция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of nanomaterials and nanostructures |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271139 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 409-413.pdf | 311,3 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.