Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/203735
Title: Дефектообразование в кремнии при высокоэнергетичной ионной имплантации
Other Titles: Radiation defects formation in silicon at high energy implantation / D. l. Brinkevich, V. S. Prosolovich, Yu. N. Yankovski
Authors: Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Янковский, Ю. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2001
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 11-13.
Abstract: Методами эффекта Холла и ИК поглощения исследованы процессы дефеістообразованйя при высокоэнергетичной (1 МэВ/а.е.м) имплантации кремния ионами бора, кислорода и аргона. За слоем внедрения обнаружены точечные радиационные дефекты, образование которых обусловлено диффузией в подложку генерируемых облучением компонентов пар Френкеля. При увеличении массы бомбардирующих ионов эффективность процесса формирования указанных центров в "запробежной" области падает вследствие возрастания концентрации сложных структурных нарушений, являющихся ловушками для вакансий и собственных междоузельных атомов.
Abstract (in another language): Defects formation processes at high energy implantation of silicon were studied by Hall effect and IR absorption methods. Point radiation defects formed at the interstitial-vacancy pair diffusion into the substrate were detected outside the ion-implantation layer. Effectiveness of this center fomnation at implanted ion mass increasing were decrease because of the interstitial and vacancy traps concentration increasing.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/203735
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
11-13.pdf700,5 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.