Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203735Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-21T08:45:13Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-21T08:45:13Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 11-13. | ru |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203735 | - |
| dc.description.abstract | Методами эффекта Холла и ИК поглощения исследованы процессы дефеістообразованйя при высокоэнергетичной (1 МэВ/а.е.м) имплантации кремния ионами бора, кислорода и аргона. За слоем внедрения обнаружены точечные радиационные дефекты, образование которых обусловлено диффузией в подложку генерируемых облучением компонентов пар Френкеля. При увеличении массы бомбардирующих ионов эффективность процесса формирования указанных центров в "запробежной" области падает вследствие возрастания концентрации сложных структурных нарушений, являющихся ловушками для вакансий и собственных междоузельных атомов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Дефектообразование в кремнии при высокоэнергетичной ионной имплантации | ru |
| dc.title.alternative | Radiation defects formation in silicon at high energy implantation / D. l. Brinkevich, V. S. Prosolovich, Yu. N. Yankovski | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.description.alternative | Defects formation processes at high energy implantation of silicon were studied by Hall effect and IR absorption methods. Point radiation defects formed at the interstitial-vacancy pair diffusion into the substrate were detected outside the ion-implantation layer. Effectiveness of this center fomnation at implanted ion mass increasing were decrease because of the interstitial and vacancy traps concentration increasing. | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.