Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203735| Заглавие документа: | Дефектообразование в кремнии при высокоэнергетичной ионной имплантации |
| Другое заглавие: | Radiation defects formation in silicon at high energy implantation / D. l. Brinkevich, V. S. Prosolovich, Yu. N. Yankovski |
| Авторы: | Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Янковский, Ю. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 11-13. |
| Аннотация: | Методами эффекта Холла и ИК поглощения исследованы процессы дефеістообразованйя при высокоэнергетичной (1 МэВ/а.е.м) имплантации кремния ионами бора, кислорода и аргона. За слоем внедрения обнаружены точечные радиационные дефекты, образование которых обусловлено диффузией в подложку генерируемых облучением компонентов пар Френкеля. При увеличении массы бомбардирующих ионов эффективность процесса формирования указанных центров в "запробежной" области падает вследствие возрастания концентрации сложных структурных нарушений, являющихся ловушками для вакансий и собственных междоузельных атомов. |
| Аннотация (на другом языке): | Defects formation processes at high energy implantation of silicon were studied by Hall effect and IR absorption methods. Point radiation defects formed at the interstitial-vacancy pair diffusion into the substrate were detected outside the ion-implantation layer. Effectiveness of this center fomnation at implanted ion mass increasing were decrease because of the interstitial and vacancy traps concentration increasing. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203735 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.