Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/241532| Заглавие документа: | Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы |
| Другое заглавие: | Dependence Gain of a Bipolar Transistor on the Parameters of Ion-Implanted Emitter and Base Regions |
| Авторы: | Оджаев, В. Б. Панфиленко, А. К. Петлицкий, А. Н. Пилипенко, В. А. Просолович, В. С. Филипеня, В. А. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электротехника |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. — 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. — Минск : БГУ, 2019. — С. 545—547. |
| Аннотация: | Исследованы статические характеристики биполярных n-p-n – транзисторов, созданных по идентичным технологиям формирования активных областей методом ионной имплантации с различным содержанием технологических примесей. Установлено, что более высоких значений коэффициентов усиления β наряду с более низкими обратными токами через эмиттерный переход в биполярных транзисторах из приборов серии В (имеющими более высокую концентрацию технологических примесей) в сравнении с транзисторами из приборов серии А (имеющими более низкую концентрацию технологических примесей) можно достигнуть только одновременным увеличением концентрации основных легирующих примесей в базе и эмиттере. |
| Аннотация (на другом языке): | By means of using the method of measuring the volt-ampere (I-V) characteristics there were investigated static parameters of the bipolar n-p-n – transistors, created as per the identical technologies of the active areas with a method of ion implantation with various contents of the technological impurities. It is established, that the high contents in the material of the technological impurities results in increase of the base current and collector current. This is determined by the high density of recombination centers in the depleted area and on the surface of the semiconductor device. It is demonstrated, that despite the high concentration values of the technological impurities by means of the simultaneous concentration increase of the basic doping in the base and emitter of the bipolar n-p-n transistor it is possible to attain the gain ratio values by current in the circuit with the common emitter of the higher gain ratios, than in the similar devices with the substantially smaller contents of the technological impurities (but and smaller concentration of the basic dopant in the base and emitter). Thus, the negative consequences from the high concentration of the generation-recombination centers in the depleted areas of the bipolar n-p-n-transistor can to a considerable extent be leveled as the expense of increasing the basis doping impurities in the base and emitter. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/241532 |
| ISSN: | 2663-9939 |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Dependence Gain of a Bipolar Transistor on the Parameters of Ion-Implanted Emitter and Base Regions.pdf | 418,47 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.