Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Статьи сотрудников физического факультета
  5. Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)
Issue Date Author Title Subject

Browsing "Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)" by Issue Date

Jump to a point in the index:
Showing results 1 to 20 of 342  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
1998Oxygen precipitates and the formation of thermal donors in siliconVabishchevich, N.V.; Brinkevich, D.I.; Prosolovich, V.S.
1998Кислородные преципитаты и формирование термодоноров в кремнииВабищевич, Н.В.; Бринкевич, Д.И.; Просолович, D/C/
1999Модель зависимости термической энергии ионизации примесей от их концентрации и компенсации в полупроводникахПоклонский, Н.А.; Сягло, А.И.; Бискупски, Г.
1999A model of how the thermal ionization energy of impurities in semiconductors depends on their concentration and compensationPoklonskii, N.A.; Syaglo, A.I.; Biskupski, G.
1999Electrostatic model of the energy gap between Hubbard bands for boron atoms in siliconPoklonskii, N.A.; Syaglo, A.I.
1999Электростатическая модель энергетической щели между зонами Хаббарда атомов бора в кремнииПоклонский, Н.А.; Сягло, А.И.
2003A semiclassical approach to Coulomb scattering of conduction electrons on ionized impurities in nondegenerate semiconductorsPoklonski, N. A.; Vyrko, S. A.; Yatskevich, V. I.; Kocherzhenko, A. A.
2005Наноструктурирование кристаллических зерен природного алмаза ионизирующим излучениемПоклонский, Н.А.; Лапчук, Т.М.; Горбачук, Н.И.; Николаенко, В.А.; Бачучин, И.В.
2005Nanostructuring of crystalline grains of natural diamond using ionizing radiationPoklonski, N.A.; Lapchuk, T.M.; Gorbachuk, N.I.; Nikolaenko, V.A.; Bachuchin, I.V.
2006Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых p+-n-переходов, облученных быстрыми электронамиПоклонский, Н.А.; Шпаковский, С.В.; Горбачук, Н.И.; Ластовский, С.Б.
2006Дипольная модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда в слабо компенсированных полупроводникахПоклонский, Н.А.; Вырко, С.А.; Забродский, А.Г.
2006The dipole model of narrowing of the energy gap between the Hubbard bands in slightly compensated semiconductorsPoklonsky, N.A.; Vyrko, S.A.; Zabrodskiǐ, A.G.
2006Negative capacitance (impedance of the inductive type) of silicon p +-n junctions irradiated with fast electronsPoklonski, N.A.; Gorbachuk, N.I.; Shpakovski, S.V.; Lastovskii, S.B.
2006Магнитное упорядочение в кристаллическом Si, имплантированном ионами Co промежуточных флюенсовПоклонский, Н.А.; Лапчук, Н.М.; Коробко, А.О.
2006Magnetic Ordering in Crystalline Si Implanted with Co Ions with Intermediate DosesPoklonski, N.A.; Lapchuk, N.M.; Korobko, A.O.
2007Quasi-static capacitance of a weakly compensated semiconductor with hopping conduction (on the example of p-Si:B)Poklonski, N.A.; Vyrko, S.A.; Zabrodskii, A.G.
2007Эффект поля и электрическая емкость кристаллов кремния при прыжковой проводимости по точечным радиационным дефектам, "локализующим" уровень ФермиПоклонский, Н.А.; Вырко, С.А.; Забродский, А.Г.
2007Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника с прыжковой электропроводностью (на примере p-Si : B)Поклонский, Н.А.; Вырко, С.А.; Забродский, А.Г.
2007Field effect and capacitance of silicon crystals with hopping conductivity over point radiation defects pinning the Fermi levelPoklonski, N.A.; Vyrko, S.A.; Zabrodskii, A.G.
2008Расчет электрической емкости самокомпенсированных полупроводников с межцентровыми прыжками одного и двух электронов (на примере кремния с радиационными дефектами)Поклонский, Н.И.; Вырко, С.А.; Забродский, А.Г.
Showing results 1 to 20 of 342  next >