Предварительный просмотр	Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
	2017	Излучательный распад триона в квантовой яме полупроводниковой гетероструктуры	Поклонский, Н.А.; Деревяго, А.Н.; Вырко, С.А.; Сягло, А.И.
	1998	Oxygen precipitates and the formation of thermal donors in silicon	Vabishchevich, N.V.; Brinkevich, D.I.; Prosolovich, V.S.
	1998	Кислородные преципитаты и формирование термодоноров в кремнии	Вабищевич, Н.В.; Бринкевич, Д.И.; Просолович, D/C/
	1999	A model of how the thermal ionization energy of impurities in semiconductors depends on their concentration and compensation	Poklonskii, N.A.; Syaglo, A.I.; Biskupski, G.
	1999	Модель зависимости термической энергии ионизации примесей от их концентрации и компенсации в полупроводниках	Поклонский, Н.А.; Сягло, А.И.; Бискупски, Г.
	1999	Electrostatic model of the energy gap between Hubbard bands for boron atoms in silicon	Poklonskii, N.A.; Syaglo, A.I.
	1999	Электростатическая модель энергетической щели между зонами Хаббарда атомов бора в кремнии	Поклонский, Н.А.; Сягло, А.И.
	2005	Nanostructuring of crystalline grains of natural diamond using ionizing radiation	Poklonski, N.A.; Lapchuk, T.M.; Gorbachuk, N.I.; Nikolaenko, V.A.; Bachuchin, I.V.
	2005	Наноструктурирование кристаллических зерен природного алмаза ионизирующим излучением	Поклонский, Н.А.; Лапчук, Т.М.; Горбачук, Н.И.; Николаенко, В.А.; Бачучин, И.В.
	2006	Magnetic Ordering in Crystalline Si Implanted with Co Ions with Intermediate Doses	Poklonski, N.A.; Lapchuk, N.M.; Korobko, A.O.
	2006	Магнитное упорядочение в кристаллическом Si, имплантированном ионами Co промежуточных флюенсов	Поклонский, Н.А.; Лапчук, Н.М.; Коробко, А.О.
	2006	Negative capacitance (impedance of the inductive type) of silicon p +-n junctions irradiated with fast electrons	Poklonski, N.A.; Gorbachuk, N.I.; Shpakovski, S.V.; Lastovskii, S.B.
	2006	Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых p+-n-переходов, облученных быстрыми электронами	Поклонский, Н.А.; Шпаковский, С.В.; Горбачук, Н.И.; Ластовский, С.Б.
	2006	The dipole model of narrowing of the energy gap between the Hubbard bands in slightly compensated semiconductors	Poklonsky, N.A.; Vyrko, S.A.; Zabrodskiǐ, A.G.
	2006	Дипольная модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках	Поклонский, Н.А.; Вырко, С.А.; Забродский, А.Г.
	2007	Field effect and capacitance of silicon crystals with hopping conductivity over point radiation defects pinning the Fermi level	Poklonski, N.A.; Vyrko, S.A.; Zabrodskii, A.G.
	2007	Эффект поля и электрическая емкость кристаллов кремния при прыжковой проводимости по точечным радиационным дефектам, "локализующим" уровень Ферми	Поклонский, Н.А.; Вырко, С.А.; Забродский, А.Г.
	2007	Quasi-static capacitance of a weakly compensated semiconductor with hopping conduction (on the example of p-Si:B)	Poklonski, N.A.; Vyrko, S.A.; Zabrodskii, A.G.
	2007	Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника с прыжковой электропроводностью (на примере p-Si : B)	Поклонский, Н.А.; Вырко, С.А.; Забродский, А.Г.
	2008	Calculation of capacitance of self-compensated semiconductors with intercenter hops of one and two electrons (by the example of silicon with radiation defects)	Poklonski, N.A.; Vyrko, S.A.; Zabrodskii, A.G.