Предварительный просмотр	Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
	2024	Carbon nanobracelets	Vyrko, S. A.; Polynskaya, Yu. G.; Matsokin, N. A.; Popov, A. M.; Knizhnik, A. A.; Poklonski, N. A.; Lozovik, Yu. E.
	2024	Физика элементов приборных структур [Фундаментальные физические постоянные, Предисловие, Тема 1]	Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Хиеу, Н. Н. [Hieu, Nguyen Ngoc]; Горбачук, Н. И.
	2024	Конечные группы симметрии. Теория и приложения [Предисловие, разделы 1.1, 1.2]	Поклонский, Н. А.; Власов, А. Т.; Вырко, С. А.
	2024	Спектры поглощения фоторезистов для обратной литографии	Абрамов, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Черный, В. В.
	2024	Influence of Nickel Impurity on the Operating Parameters of a Silicon Solar Cell	Kenzhaev, Z. T.; Zikrillaev, N. F.; Odzhaev, V. B.; Ismailov, K. A.; Prosolovich, V. S.; Zikrillaev, Kh. F.; Koveshnikov, S. V.
	2024	Влияние гамма-облучения на электрофизические параметры кремниевых фотоэлементов, легированных никелем	Кенжаев, З. Т.; Илиев, Х. М.; Оджаев, В. Б.; Мавлонов, Г. Х.; Просолович, В. С.; Косбергенов, Е. Ж.; Исмайлов, С, Б.; Олламбергенов, Ш. З.
	2024	Прочностные свойства пленок фоторезиста AZ nLOF 5510	Абрамов, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.
	2024	Стоковые характеристики силовых МОП-транзисторов с диэлектриком, азотированным ионной имплантацией	Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.
	2024	Диагностика методом ЭПР стабильности электрофизических параметров многофункционального диэлектрика в системе Si–SiO2 в процессе его технологической модификации	Олешкевич, А. Н.; Сернов, С. П.; Просолович, В. С.; Лапчук, Т. М.; Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Лапчук, М. Ю.
	2024	Низкочастотный конденсатор с прыжковой электропроводностью рабочего вещества (на примере a-Si:H)	Поклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Вырко, С. А.
	2024	Activation Energy of DC Hopping Conductivity of Lightly Doped Weakly Compensated Crystalline Semiconductors	Poklonski, N.A.; Anikeev, I.I.; Vyrko, S.A.; Zabrodskii, A.G.
	2024	Calculation of the Activation Energy of Electrical ε2-Conductivity of Weakly Compensated Semiconductors	Poklonski, Nikolai A.; Anikeev, Ilya I.; Vyrko, S.A.; Zabrodskii, A.G.
	2024	Two-dimensional Janus Si2OX (X = S, Se, Te) monolayers as auxetic semiconductors: theoretical prediction	Anh, N.P.Q.; Poklonski, N.A.; Vi, V.T.T.; Nguyen, C.Q.; Hieu, N.N.
	ноя-2023	Влияние облучения быстрыми электронами на параметры диодов генераторов шума	Буслюк, В. В.; Дереченник, С. С.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Ластовский, С. Б.; Нерода, И. Ю.; Федосюк, Д. Н.; Черный, В. В.; Янковский, Ю. Н.
	2018	Tuning the electronic properties, effective mass and carrier mobility of MoS2 monolayer by strain engineering: first-principle calculations	Phuc, H. V.; Hieu, N. N.; Hoi, B. D.; Hieu, N. V.; Thu, T. V.; Hung, N. M.; Ilyasov, V. V.; Poklonski, N. A.; Nguyen, C. V.
	2018	Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой точечных трехзарядных дефектов	Поклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
	2022	Схема генерации потока отрицательно заряженных молекул на изогнутых листах графена	Поклонский, Н. А.; Раткевич, С. В.; Вырко, С. А.; Власов, А. Т.
	2020	Электрофизика границы полупроводник–водяной пар	Поклонский, Н. А.
	2022	Релятивистский электрический потенциал вблизи пары квазиодномерных проводников со стационарным током	Поклонский, Н. А.; Галимский, И. А.; Власов, А. Т.; Вырко, С. А.
	2022	High-frequency capacitor with working substance “insulator–undoped silicon–insulator”	Poklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.