Logo BSU

Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) : [240] Главная страница коллекции Статистика

Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 41 по 60 из 240
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2022Максимальная прыжковая электропроводность на постоянном токе по водородоподобным примесям в полупроводникахПоклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Аникеев, И. И.; Забродский, А. Г.
2022Зависимость энергии эмиссионных молекулярных орбиталей в коротких открытых углеродных нанотрубках от электрического поляТомилин, О. Б.; Родионова, Е. В.; Родин, Е. А.; Поклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Раткевич, С. В.
2023Электростатическая модель энергии активации прыжковой электропроводности слабо легированного и слабо компенсированного кремния p-типаПоклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Вырко, С. А.
2023Импеданс дефектных слоев кремния, сформированных в структурах Al/SiO2/n-Si облучением высокоэнергетичными ионами гелияГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
2023Ограничение сверхскользскости: влияние релаксации структуры и наличия атомных дефектов на примере повернутых слоев графенаПопов, А. М.; Минкин, А. С.; Лебедева, И. В.; Книжник, А. А.; Вырко, С. А.; Поклонский, Н. А.; Лозовик, Ю. Е.
2023Релятивистский электрический потенциал одномерных проводников со стационарным токомПоклонский, Н. А.
2023Спектроскопия DLTS структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелияГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
2023Impedance of defective silicon layers formed in Al/SiO2/n-Si structures by irradiation with high-energy helium ionsGorbachuk, N. I.; Poklonski, N. A.; Yermakova, K. A.; Shpakovski, S. V.
2023Модель донорно-акцепторной фотолюминесценции в кристаллах германия при низких температурахПоклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Вырко, С. А.
2023Физика полупроводниковых систем. Основные понятия [Предисловие, Пролог]Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Поклонская, О. Н.
2023Two schemes for producing molecular ions on a bent graphene layersPoklonski, N. A.; Ratkevich, S. V.; Vyrko, S. A.; Vlassov, A. T.
2023DLTS-спектроскопия радиационных дефектов в облученных ионами гелия структурах Al/Si3N4/n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.; Ломако, В. М.
2023Релятивистский электрический потенциал в полевом транзистореПоклонский, Н. А.
2023Interlayer interaction, shear vibrational mode, and tribological properties of two-dimensional bilayers with a commensurate moiré patternMinkin, A. S.; Lebedeva, I. V.; Popov, A. M.; Vyrko, S. A.; Poklonski, N. A.; Lozovik, Yu. E.
2023Structural, electronic, and transport properties of Janus XMoSiP2 (X = S, Se, Te) monolayers: a first-principles studyHiep, N. T.; Nguyen, C. Q.; Poklonski, N. A.; Duque, C. A.; Phuc, H. V.; Lu, D. V.; Hieu, N. N.
2023Expansion of nanotube cap due to migration of sp atoms from lateral surfacePolynskaya, Yu. G.; Sinitsa, A. S.; Vyrko, S. A.; Ori, O.; Popov, A. M.; Knizhnik, A. A.; Poklonski, N. A.; Lozovik, Yu. E.
2023DC hopping photoconductivity via three-charge-state point defects in partially disordered semiconductorsPoklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.
2023Model of DC tunneling conductivity via hydrogen-like impurities in heavily doped compensated semiconductorsPoklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.; Zabrodskii, A. G.
2023Inductive type impedance of Mo/n-Si barrier structures irradiated with alpha particlesPoklonski, N. A.; Kovalev, A. I.; Usenko, K. V.; Ermakova, E. A.; Gorbachuk, N. I.; Lastovski, S. B.
2023Lattice model of nonphonon donor–acceptor photoluminescence in germanium crystalsPoklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.
Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 41 по 60 из 240