Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 41 по 60 из 240
Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2022 | Максимальная прыжковая электропроводность на постоянном токе по водородоподобным примесям в полупроводниках | Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Аникеев, И. И.; Забродский, А. Г. |
| 2022 | Зависимость энергии эмиссионных молекулярных орбиталей в коротких открытых углеродных нанотрубках от электрического поля | Томилин, О. Б.; Родионова, Е. В.; Родин, Е. А.; Поклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Раткевич, С. В. |
| 2023 | Электростатическая модель энергии активации прыжковой электропроводности слабо легированного и слабо компенсированного кремния p-типа | Поклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Вырко, С. А. |
| 2023 | Импеданс дефектных слоев кремния, сформированных в структурах Al/SiO2/n-Si облучением высокоэнергетичными ионами гелия | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В. |
| 2023 | Ограничение сверхскользскости: влияние релаксации структуры и наличия атомных дефектов на примере повернутых слоев графена | Попов, А. М.; Минкин, А. С.; Лебедева, И. В.; Книжник, А. А.; Вырко, С. А.; Поклонский, Н. А.; Лозовик, Ю. Е. |
| 2023 | Релятивистский электрический потенциал одномерных проводников со стационарным током | Поклонский, Н. А. |
| 2023 | Спектроскопия DLTS структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В. |
| 2023 | Impedance of defective silicon layers formed in Al/SiO2/n-Si structures by irradiation with high-energy helium ions | Gorbachuk, N. I.; Poklonski, N. A.; Yermakova, K. A.; Shpakovski, S. V. |
| 2023 | Модель донорно-акцепторной фотолюминесценции в кристаллах германия при низких температурах | Поклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Вырко, С. А. |
| 2023 | Физика полупроводниковых систем. Основные понятия [Предисловие, Пролог] | Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Поклонская, О. Н. |
| 2023 | Two schemes for producing molecular ions on a bent graphene layers | Poklonski, N. A.; Ratkevich, S. V.; Vyrko, S. A.; Vlassov, A. T. |
| 2023 | DLTS-спектроскопия радиационных дефектов в облученных ионами гелия структурах Al/Si3N4/n-Si | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.; Ломако, В. М. |
| 2023 | Релятивистский электрический потенциал в полевом транзисторе | Поклонский, Н. А. |
| 2023 | Interlayer interaction, shear vibrational mode, and tribological properties of two-dimensional bilayers with a commensurate moiré pattern | Minkin, A. S.; Lebedeva, I. V.; Popov, A. M.; Vyrko, S. A.; Poklonski, N. A.; Lozovik, Yu. E. |
| 2023 | Structural, electronic, and transport properties of Janus XMoSiP2 (X = S, Se, Te) monolayers: a first-principles study | Hiep, N. T.; Nguyen, C. Q.; Poklonski, N. A.; Duque, C. A.; Phuc, H. V.; Lu, D. V.; Hieu, N. N. |
| 2023 | Expansion of nanotube cap due to migration of sp atoms from lateral surface | Polynskaya, Yu. G.; Sinitsa, A. S.; Vyrko, S. A.; Ori, O.; Popov, A. M.; Knizhnik, A. A.; Poklonski, N. A.; Lozovik, Yu. E. |
| 2023 | DC hopping photoconductivity via three-charge-state point defects in partially disordered semiconductors | Poklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A. |
| 2023 | Model of DC tunneling conductivity via hydrogen-like impurities in heavily doped compensated semiconductors | Poklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.; Zabrodskii, A. G. |
| 2023 | Inductive type impedance of Mo/n-Si barrier structures irradiated with alpha particles | Poklonski, N. A.; Kovalev, A. I.; Usenko, K. V.; Ermakova, E. A.; Gorbachuk, N. I.; Lastovski, S. B. |
| 2023 | Lattice model of nonphonon donor–acceptor photoluminescence in germanium crystals | Poklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A. |
Ресурсы коллекции (Сортировка по Дата поступления в По убыванию порядке): 41 по 60 из 240