Предварительный просмотр	Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
	ноя-2023	Влияние облучения быстрыми электронами на параметры диодов генераторов шума	Буслюк, В.В.; Дереченник, С.С.; Оджаев, В.Б.; Просолович, В.С.; Ластовский, С.Б.; Нерода, И.Ю.; Федосюк, Д.Н.; Черный, В.В.; Янковский, Ю.Н.
	2018	Tuning the electronic properties, effective mass and carrier mobility of MoS2 monolayer by strain engineering: first-principle calculations	Phuc, H. V.; Hieu, N. N.; Hoi, B. D.; Hieu, N. V.; Thu, T. V.; Hung, N. M.; Ilyasov, V. V.; Poklonski, N. A.; Nguyen, C. V.
	2018	Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой точечных трехзарядных дефектов	Поклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
	2022	Схема генерации потока отрицательно заряженных молекул на изогнутых листах графена	Поклонский, Н. А.; Раткевич, С. В.; Вырко, С. А.; Власов, А. Т.
	2020	Электрофизика границы полупроводник–водяной пар	Поклонский, Н. А.
	2022	Релятивистский электрический потенциал вблизи пары квазиодномерных проводников со стационарным током	Поклонский, Н. А.; Галимский, И. А.; Власов, А. Т.; Вырко, С. А.
	2022	High-frequency capacitor with working substance “insulator–undoped silicon–insulator”	Poklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.
	2022	Максимальная прыжковая электропроводность на постоянном токе по водородоподобным примесям в полупроводниках	Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Аникеев, И. И.; Забродский, А. Г.
	2022	Зависимость энергии эмиссионных молекулярных орбиталей в коротких открытых углеродных нанотрубках от электрического поля	Томилин, О. Б.; Родионова, Е. В.; Родин, Е. А.; Поклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Раткевич, С. В.
	2023	Электростатическая модель энергии активации прыжковой электропроводности слабо легированного и слабо компенсированного кремния p-типа	Поклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Вырко, С. А.
	2023	Импеданс дефектных слоев кремния, сформированных в структурах Al/SiO2/n-Si облучением высокоэнергетичными ионами гелия	Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
	2023	Ограничение сверхскользскости: влияние релаксации структуры и наличия атомных дефектов на примере повернутых слоев графена	Попов, А. М.; Минкин, А. С.; Лебедева, И. В.; Книжник, А. А.; Вырко, С. А.; Поклонский, Н. А.; Лозовик, Ю. Е.
	2023	Релятивистский электрический потенциал одномерных проводников со стационарным током	Поклонский, Н. А.
	2023	Спектроскопия DLTS структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия	Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
	2023	Impedance of defective silicon layers formed in Al/SiO2/n-Si structures by irradiation with high-energy helium ions	Gorbachuk, N. I.; Poklonski, N. A.; Yermakova, K. A.; Shpakovski, S. V.
	2023	Модель донорно-акцепторной фотолюминесценции в кристаллах германия при низких температурах	Поклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Вырко, С. А.
	2023	Физика полупроводниковых систем. Основные понятия [Предисловие, Пролог]	Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Поклонская, О. Н.
	2023	Two schemes for producing molecular ions on a bent graphene layers	Poklonski, N. A.; Ratkevich, S. V.; Vyrko, S. A.; Vlassov, A. T.
	2023	DLTS-спектроскопия радиационных дефектов в облученных ионами гелия структурах Al/Si3N4/n-Si	Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.; Ломако, В. М.
	2023	Релятивистский электрический потенциал в полевом транзисторе	Поклонский, Н. А.