Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/344984| Заглавие документа: | Эффект поля и электрическая емкость кристаллов кремния при прыжковой проводимости по точечным радиационным дефектам, "локализующим" уровень Ферми |
| Авторы: | Поклонский, Н.А. Вырко, С.А. Забродский, А.Г. |
| Цифровой идентификатор автора ORCID: | 0000-0002-0799-6950 0000-0002-1145-1099 |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2007 |
| Издатель: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук |
| Библиографическое описание источника: | Физика и техника полупроводников. 2007; 41(11): С. 1317-1323. |
| Аннотация: | ППроведен расчет статического эффекта поля и электрической емкости кристаллов кремния при прыжковой проводимости по дефектам в зарядовых состояниях (+1),(0) и (-1), "локализующим" уровень Ферми. В запрещенной зоне кремния дефекты в зарядовых состояниях (0) и (+1) формируют v'-зону, а в зарядовых состояниях (-1) и (0) формируют c'-зону. Ширина энергетических c'- и v'-зон рассчитывается в предположении кулоновского взаимодействия каждого заряженного дефекта только с ближайшим по расстоянию ионом. Величина энергетической щели между c'- и v'-зонами дефектов полагается постоянной. Предсказывается немонотонность зависимости емкости и поверхностной прыжковой проводимости от электрического потенциала на поверхности сильнодефектных кристаллов кремния |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/344984 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.