Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/345016| Заглавие документа: | Электростатическая модель энергетической щели между зонами Хаббарда атомов бора в кремнии |
| Авторы: | Поклонский, Н.А. Сягло, А.И. |
| Цифровой идентификатор автора ORCID: | 0000-0002-0799-6950 |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук |
| Библиографическое описание источника: | Физика и техника полупроводников.1999; Т. 33(4): С. 402-404 |
| Аннотация: | Развита электростатическая модель сужения энергетической щели varepsilon2 между зонами Хаббарда (A0- и A+-зонами) с ростом концентрации акцепторов N=N0+N-1+N+1 и с ростом степени их компенсации K донорами при N-1~ KN. Учтено экранирование ионов примесей прыгающими по акцепторам дырками. Показано, что этот эффект приводит к сдвигу A0-зон к валентной зоне, A+-зон —- к зоне проводимости. Концентрация прыгающих в A+-зоне дырок N+1N0/N определяется энергией их термической генерации varepsilon2 из A0-зоны. Рассчитанные для Si : B значения varepsilon2 согласуются с экспериментальными данными. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/345016 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.