Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/345016Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Поклонский, Н.А. | - |
| dc.contributor.author | Сягло, А.И. | - |
| dc.date.accessioned | 2026-04-06T12:02:48Z | - |
| dc.date.available | 2026-04-06T12:02:48Z | - |
| dc.date.issued | 1999 | - |
| dc.identifier.citation | Физика и техника полупроводников.1999; Т. 33(4): С. 402-404 | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/345016 | - |
| dc.description.abstract | Развита электростатическая модель сужения энергетической щели varepsilon2 между зонами Хаббарда (A0- и A+-зонами) с ростом концентрации акцепторов N=N0+N-1+N+1 и с ростом степени их компенсации K донорами при N-1~ KN. Учтено экранирование ионов примесей прыгающими по акцепторам дырками. Показано, что этот эффект приводит к сдвигу A0-зон к валентной зоне, A+-зон —- к зоне проводимости. Концентрация прыгающих в A+-зоне дырок N+1N0/N определяется энергией их термической генерации varepsilon2 из A0-зоны. Рассчитанные для Si : B значения varepsilon2 согласуются с экспериментальными данными. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Электростатическая модель энергетической щели между зонами Хаббарда атомов бора в кремнии | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.identifier.orcid | 0000-0002-0799-6950 | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.

