Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/344999| Заглавие документа: | Магнитное упорядочение в кристаллическом Si, имплантированном ионами Co промежуточных флюенсов |
| Авторы: | Поклонский, Н.А. Лапчук, Н.М. Коробко, А.О. |
| Цифровой идентификатор автора ORCID: | 0000-0002-0799-6950 |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2006 |
| Издатель: | Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН. |
| Библиографическое описание источника: | Физика и техника полупроводников, 2006;Т.40(10): С.1181-1184 |
| Аннотация: | Исследовался кристаллический Si, имплантированный ионами кобальта (флюенс 8 = 1014−1016 см−2) с энергией 380 кэВ. Методом резерфордовского обратного рассеяния определен порог аморфизации Si (8 = 3 · 1014 см−2). При температуре T = 78 K в имплантированном Co+ кремнии для 8 ≥ 3 · 1014 см−2 зарегистрирована квазирезонансная анизотропная линия электронного парамагнитного резонанса шириной порядка 170 мТл. На фоне этой линии наблюдался резонансный сигнал парамагнитных центров аморфных областей Si (g = 2.0057, δB = 0.74 мТл). Квазирезонансная линия электронного парамагнитного резонанса от атомов Co и собственных дефектов Si при T = 300 K не наблюдалась. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/344999 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.