Магнитное упорядочение в кристаллическом Si, имплантированном ионами Co промежуточных флюенсов

Abstract

Исследовался кристаллический Si, имплантированный ионами кобальта (флюенс 8 = 1014−1016 см−2) с энергией 380 кэВ. Методом резерфордовского обратного рассеяния определен порог аморфизации Si (8 = 3 · 1014 см−2). При температуре T = 78 K в имплантированном Co+ кремнии для 8 ≥ 3 · 1014 см−2 зарегистрирована квазирезонансная анизотропная линия электронного парамагнитного резонанса шириной порядка 170 мТл. На фоне этой линии наблюдался резонансный сигнал парамагнитных центров аморфных областей Si (g = 2.0057, δB = 0.74 мТл). Квазирезонансная линия электронного парамагнитного резонанса от атомов Co и собственных дефектов Si при T = 300 K не наблюдалась.