Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/345023| Заглавие документа: | Oxygen precipitates and the formation of thermal donors in silicon |
| Авторы: | Vabishchevich, N.V. Brinkevich, D.I. Prosolovich, V.S. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 1998 |
| Издатель: | Pleiades Publishing, Ltd. |
| Библиографическое описание источника: | Semiconductors.1998; Vol. 32(6): P. 640-641. |
| Аннотация: | It is established by infrared spectroscopy and Hall measurements that the oxygen precipitates formed during preliminary high-temperature treatment suppress the generation of thermal donors in Si grown either by the Czochralski method or by applying a magnetic field to a melt. Possible mechanisms for the influence of precipitation on the formation of thermal donors are proposed. © 1998 American Institute of Physics. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/345023 |
| DOI документа: | 10.1134/1.1187455. |
| Scopus идентификатор документа: | 0347718555 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1.1187455.pdf | 51,89 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.