Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/345023Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Vabishchevich, N.V. | - |
| dc.contributor.author | Brinkevich, D.I. | - |
| dc.contributor.author | Prosolovich, V.S. | - |
| dc.date.accessioned | 2026-04-06T14:13:42Z | - |
| dc.date.available | 2026-04-06T14:13:42Z | - |
| dc.date.issued | 1998 | - |
| dc.identifier.citation | Semiconductors.1998; Vol. 32(6): P. 640-641. | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/345023 | - |
| dc.description.abstract | It is established by infrared spectroscopy and Hall measurements that the oxygen precipitates formed during preliminary high-temperature treatment suppress the generation of thermal donors in Si grown either by the Czochralski method or by applying a magnetic field to a melt. Possible mechanisms for the influence of precipitation on the formation of thermal donors are proposed. © 1998 American Institute of Physics. | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | Pleiades Publishing, Ltd. | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Oxygen precipitates and the formation of thermal donors in silicon | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.identifier.DOI | 10.1134/1.1187455. | - |
| dc.identifier.scopus | 0347718555 | - |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1.1187455.pdf | 51,89 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.