Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/236657
Title: Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n–p–n-транзистора
Authors: Оджаев, В. Б.
Панфиленко, А. К.
Петлицкий, А. Н.
Просолович, В. С.
Шведов, С. В.
Филипеня, В. А.
Явид, В. Ю.
Янковский, Ю. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date: 2018
Publisher: Республиканское унитарное предприятие "Издательский дом "Белорусская наука" (Минск)
Citation: Известия НАН Беларуси. Сер. физ.-техн. наук.— 2018.— Т. 63, № 2.— С. 244—249.
Abstract: Загрязнение монокристаллического кремния технологическими примесями в процессе изготовления приборов оказывает существенное влияние на электрофизические характеристики биполярных n–p–n-транзисторов. Выявление причин лабильной воспроизводимости основных характеристик биполярных планарных n–p–n-транзисторов является актуальным с целью установления факторов, определяющих надежность и стабильность эксплуатационных параметров интегральных микросхем. Исследованы вольт-амперные характеристики различных партий биполярных n–p–n-транзисторов, изготовленных по эпитаксиально-планарной технологии по аналогичным технологическим маршрутам, при идентичных используемых технологических материалах, однако в различное время. Установлено, что электрофизические характеристики биполярных n–p–n-транзисторов существенным образом зависят от содержания технологических примесей в материале подложки. Наличие высокой концентрации генерационно-рекомбинационных центров, связанных с металлическими примесями, приводит как к увеличению обратного тока через переход коллектор–база транзисторов, так и к существенному снижению напряжения пробоя коллекторного перехода. Наиболее вероятной причиной ухудшения электрофизических параметров биполярных n–p–n-транзисторов является загрязнение материала технологическими примесями (такими, как Fe, Cl, Ca, Cu, Zn и др.) во время производственного процесса изготовления приборов. Источниками загрязнений могут служить как детали и узлы технологических установок, так и используемые материалы и реактивы.
Abstract (in another language): Contamination of the monocrystal silicon with technological impurities in the devices fabrication process exerts a considerable influence on the electro-physical characteristics of the bipolar n-р-n-transistors. Revelation of the causes of the labile reproducibility of the basic characteristics of the bipolar planar n-р-n-transistors is vital for the purpose of establishing the factors, determining reliability and stability of the operational parameters of the integrated circuits. There were investigated I-V characteristics of the various lots of the bipolar n-р-n-transistors, fabricated under the epitaxial-planar technology as per the similar process charts with the identical used technological materials, however, at different times. It is established that the electro-physical characteristics of the bipolar n-р-n-transistors substantially depend on the contents of the technological impurities in the substrate material. Availability of the high concentration of the generation-recombination centers, related to the metallic impurities, results both in increase of the reverse current of the collector - base junction of the transistors and the significant reduction of the breakdown voltage of the collector junction. The most probable cause of deterioration of the electro-physical parameters of the bipolar n-p-n-transistors is the material contamination with the technological impurities (such, as Fe, Cl, Ca, Cu, Zn and others) during the production process of the devices fabrication. The sources of impurity may be both the components and sub-assemblies of the technological units and the materials and reagents under usage.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/236657
ISSN: 1561-8358 (Print)
2524-244X (Online)
Scopus: 10.29235/1561-8358-2018-63-2-244-249
Appears in Collections:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники

Files in This Item:
There are no files associated with this item.


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.