Logo BSU

Browsing by Author Маркевич, В. П.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 25  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2008Взаимодействие примесных атомов меди с радиационными дефектами в кремнииМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Литвинко, А. Г.; Комаров, Б. А.
2021Влияние изотопного состава кремния на локальные колебательные моды комплекса вакансия – кислородТолкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.
2020Влияние изотопного состава кремния на локальные колебательные моды комплекса вакансия-кислород при комнатной температуреТолкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.
2007Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:BКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Абросимов, Н. В.
2003Влияние предварительных термообработок при различных температурах на процессы радиационного дефектообразования в n-Cz-SiМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Литвинко, А. Г.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2018Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.
2008Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
2016Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощенияМурин, Л. И.; Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.
2010Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 кКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2001Колебательные моды комплексов кислород-вакансия в германииЛитвинов, В. В.; Мурин, Л. И.; Линдстром, Дж. Л.; Маркевич, В. П.; Петух, А. Н.
2014Модификация свойств кремниевых эпитаксиальных пленок обработкой в водородной плазмеПокотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Литвинов, В. В.; Маркевич, В. П.; Ксеневич, В. К.; Смирнова, О. Ю.; Стельмах, Г. Ф.; Мазаник, А. В.; Королик, О. В.; Гиро, А. В.; Пальмера Д. Мигель А.
2021О природе водородосодержащего дефекта с уровнем Е(-/+) = Ес-0.075 эВ в облученном кремнииМедведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Фадеева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2021Образование вакансионно-кислородных центров VO5 и VO6 в кристаллах кремния при радиационно-термических обработкахТолкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
2007Образование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах n-Si, содержащих медьМедведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.
2018Оптические и электронные свойства твердых растворов германий – кремнийСмирнова, О. Ю.; Стельмах, Г. Ф.; Покотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Маркевич, В. П.; Королик, О. В.; Мазаник, А. В.
2016Основные закономерности влияния температуры облучения и положения уровня Ферми на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Гуринович, В. А.
2017Особенности отжига Е-центров (комплексов вакансия-фосфор) в облученных кристаллах кремния с различным примесно-дефектным составомМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2016Особенности отжига межузельных атомов углерода в кремнии р-типаЛастовский, С. Б.; Якушевич, А. С.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2001Отжиг комплексов вакансия - фосфор в облученных кристаллах SiМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.