Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223466| Заглавие документа: | Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структур |
| Авторы: | Коршунов, Ф. П. Богатырев, Ю. В. Ластовский, С. Б. Маркевич, В. П. Мурин, Л. И. Шпаковский, С. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 171-175 |
| Аннотация: | В облученных кристаллах кремния, подвергнутых высокотемпературным обработкам либо воздействию проникающих излучений при повышенных температурах, имеет место формирование сложных примесно-дефектных комплексов (наноразмерных кластеров), обладающих высокой термостабильностью. Такие дефекты могут оказывать существенное влияние на электрические и оптические свойства материала, в том числе служить эффективными центрами рекомбинации неосновных носителей заряда (ННЗ) в кремниевых быстродействующих приборах. Цель данной работы - изучить влияние радиационных дефектов, вводимых электронным облучением при 300/800 К, на параметры кремниевых диодных р-n-структур. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223466 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 171-175.pdf | 830,66 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.