Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223466
Title: Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структур
Authors: Коршунов, Ф. П.
Богатырев, Ю. В.
Ластовский, С. Б.
Маркевич, В. П.
Мурин, Л. И.
Шпаковский, С. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2008
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 171-175
Abstract: В облученных кристаллах кремния, подвергнутых высокотемпературным обра­боткам либо воздействию проникающих излучений при повышенных температурах, имеет место формирование сложных примесно-дефектных комплексов (наноразмер­ных кластеров), обладающих высокой термостабильностью. Такие дефекты мо­гут оказывать существенное влияние на электрические и оптические свойства мате­риала, в том числе служить эффективными центрами рекомбинации неосновных но­сителей заряда (ННЗ) в кремниевых быстродействующих приборах. Цель данной работы - изучить влияние радиационных дефектов, вводимых элек­тронным облучением при 300/800 К, на параметры кремниевых диодных р-n-структур.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/223466
ISBN: 978-985-518-091-4
Appears in Collections:2008. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
171-175.pdf830,66 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.