Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2008. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223466
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКоршунов, Ф. П.-
dc.contributor.authorБогатырев, Ю. В.-
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.-
dc.contributor.authorМаркевич, В. П.-
dc.contributor.authorМурин, Л. И.-
dc.contributor.authorШпаковский, С. В.-
dc.date.accessioned2019-07-11T08:09:41Z-
dc.date.available2019-07-11T08:09:41Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 171-175ru
dc.identifier.isbn978-985-518-091-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/223466-
dc.description.abstractВ облученных кристаллах кремния, подвергнутых высокотемпературным обра­боткам либо воздействию проникающих излучений при повышенных температурах, имеет место формирование сложных примесно-дефектных комплексов (наноразмер­ных кластеров), обладающих высокой термостабильностью. Такие дефекты мо­гут оказывать существенное влияние на электрические и оптические свойства мате­риала, в том числе служить эффективными центрами рекомбинации неосновных но­сителей заряда (ННЗ) в кремниевых быстродействующих приборах. Цель данной работы - изучить влияние радиационных дефектов, вводимых элек­тронным облучением при 300/800 К, на параметры кремниевых диодных р-n-структур.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВлияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структурru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2008. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
171-175.pdf830,66 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.