Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2008 | Калибровочные образцы на основе углерода для спектроскопии ЭПР | Джадан, Муханнад; Нур, Хуссейн Али; Адашкевич, С. В.; Киранов, В. С.; Стельмах, В. Ф. |
| 2008 | Моделирование синфазного и квадратурного сигналов ЭПР для определения спин-решеточного и спин-спинового времен релаксации | Баев, В. Г. |
| 2008 | Образование дефектов в запробежной области кремниевых структур, облученных альфа-частицами | Макаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Хиврич, В. И. |
| 2008 | ЭПР-диагностика углеродных пленок, структурированных на стекле | Азарко, И. И.; Гончаров, В. К.; Гусаков, Г. А.; Карпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Пузырев, М. В.; Толстых, П. В. |
| 2008 | Specific of measurements and magnetoresistance data analysis in pulsed magnetic fields | Dauzhenka, T. A.; Ksenevich, V. К.; Bashmakov, L. A.; Galibert, J. |
| 2008 | Механизмы формирования и термическая стабильность вакансионно-кислородных нанокластеров в облученных кристаллах Si | Мурин, Л. И. |
| 2008 | Дефектообразование в кремнии при нанесении металлопокрытий в условиях ионного ассистирования | Михалкович, О. М.; Ташлыков, И. С. |
| 2008 | Электрические свойства нанокомпозитов SiO2-y-Fe2O3 | Адакимчик, А. В.; Горбачук, Н. И.; Ивановская, М. И.; Котиков, Д. А.; Лукашевич, М. Г.; Сидоренко, Ю. В. |
| 2008 | Mechanism of hydrogen-related shallow donors formation in Ge(1-x)Si(x) crystals implanted with protons | Pokotilo, Ju. М.; Petukh, А. N.; Litvinov, V. V.; Markevich, V. Р.; Peaker, А. R.; Abrosimov, N. А. |
| 2008 | Влияние примеси азота на фотоэлектрические свойства синтетических монокристаллов алмаза | Новак, Д. А.; Усик, Е. А.; Казючиц, Н. М.; Казючиц, В. И.; Русецкий, М. С. |
| 2008 | Спектроскопические характеристики порошков нитрида лития | Азарко, И. И.; Игнатенко, О. В.; Карпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Шемпель, Н. А.; Янковский, О. Н. |
| 2008 | Взаимодействие атомов золота с преципитатами кислорода в монокристаллическом кремнии | Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, О. Н.; Янковский, Ю. Н. |
| 2008 | Формирование сильнолегированных «карманов» КМОП-структур высокоэнергетичной ионной имплантацией | Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, О. Н.; Янковский, Ю. Н. |
| 2008 | Сравнительные характеристики кремниевых и алмазных фотоприемников в ультрафиолетовом диапазоне | Ермакова, А. В.; Русецкий, М. С.; Казючиц, Н. М.; Стельмах, Г. Ф.; Сикорский, В. В.; Шуленков, А. С. |
| 2008 | Структурные и сенсорные свойства слоев SnO2, сформированных магнетронным распылением | Прокопьев, С. Л.; Кожевко, А. И.; Барташевич, С. А.; Гайдук, П. И. |
| 2008 | Влияние пространственного квантования на ВАХ одноэлектронных структур | Абрамов, И. И.; Баранов, А. Л.; Лавринович, А. М.; Пыжик, И. В. |
| 2008 | Структурные и электрофизические свойства тонких Si(1-x)Ge(x) пленок после имплантации В+ и последующего отжига | Гайдук, П. И.; Гринько, С. Н.; Зайков, В. А.; Новиков, А. Г.; Наливайко, О. Ю.; Пшеничный, Е. Н. |
| 2008 | Electron irradiation effects in ерitaxial schottky barriers | Korshunov, F. Р.; Marchenko, I. G.; Zhdanovich, N. Е.; Gurin, Р. М. |
| 2008 | Properties of InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy on Ge (100) | Trunov, K. V.; Reuter, D.; Berezhna, O.; Kolkovsky, V.; Lundsgaard Hansen, J.; Chevallier, J.; Nylandsted Larsen, A.; Wieck, A. D. |
| 2008 | Особенности лавинного пробоя перехода коллектор-база субмикронного биполярного транзистора | Пилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В. |