Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223443
Заглавие документа: | Поведение примесей сурьмы и фосфора в имплантированном кремнии |
Авторы: | Белоус, А. И. Васильев, Ю. Б. Емельянов, В. А. Оджаев, В. Б. Плебанович, В. И. Садовский, П. К. Челядинский, А. Р. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2008 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 152-156 |
Аннотация: | В создании сильно легированных слоев Si n-типа в качестве эмиттеров транзисторов используется ионная имплантация Р. В силу несовпадения ковалентных радиусов R атомов Si (1.175 А) и Р (1.1 А) при высоком уровне легирования на границе слоя и подложки возникают упругие напряжения, ведущие к генерации дислокаций несоответствия, что ухудшает электрические параметры полупроводниковых приборов. Двойная имплантация примесей может существенно улучшать параметры ионно-легированных слоев кремния. Например, дополнительное внедрение ионов Ge или С в слои кремния, имплантированные В или Р, позволяет существенно снизить коэффициенты диффузии электрически активных примесей, подавить образование из точечных радиационных дефектов остаточных протяженных нарушений. Можно ожидать, что двойная имплантация Р и Sb позволит компенсировать упругие напряжения несоответствия в сильно легированных слоях кремния n-типа. Однако при высоком уровне легирования возникает проблема растворимости примеси и ее воздействия на решетку кристалла во всех формах существования. Особенно это важно для сурьмы с более низкой, чем фосфор, растворимостью в кремнии. Целью работы являются структурные и электрофизические исследования поведения Sb и Р в кремнии при термообработке при больших дозах имплантации. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223443 |
ISBN: | 978-985-518-091-4 |
Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
152-156.pdf | 825,46 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.